12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003ANT1
Table 7. Class AB Common Source S-Parameters (VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, T
A
= 25
°C, 50 Ω
system)
(continued)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
3.800
0.829
94.3
1.650
-35.3
0.0537
-70.6
0.461
128.2
3.825
0.828
93.3
1.649
-36.3
0.0539
-71.3
0.460
127.6
3.850
0.827
92.4
1.646
-37.4
0.0541
-72.0
0.459
127.1
3.875
0.825
91.4
1.645
-38.4
0.0543
-72.6
0.457
126.5
3.900
0.825
90.3
1.644
-39.5
0.0546
-73.3
0.456
126.0
3.925
0.823
89.3
1.641
-40.5
0.0548
-74.0
0.454
125.5
3.950
0.822
88.2
1.641
-41.6
0.0550
-74.7
0.452
124.9
3.975
0.821
87.1
1.638
-42.7
0.0553
-75.5
0.450
124.4
4.000
0.820
86.0
1.638
-43.8
0.0555
-76.2
0.448
123.9
4.025
0.819
84.8
1.636
-44.9
0.0558
-76.9
0.445
123.4
4.050
0.818
83.6
1.634
-46.0
0.0560
-77.7
0.443
122.8
4.075
0.817
82.4
1.634
-47.1
0.0562
-78.4
0.440
122.2
4.100
0.816
81.2
1.631
-48.3
0.0565
-79.2
0.437
121.7
4.125
0.815
80.0
1.631
-49.4
0.0568
-80.0
0.435
121.1
4.150
0.815
78.7
1.630
-50.6
0.0570
-80.8
0.432
120.5
4.175
0.814
77.4
1.628
-51.8
0.0572
-81.6
0.429
119.9
4.200
0.813
76.1
1.627
-52.9
0.0575
-82.4
0.426
119.2
4.225
0.812
74.7
1.626
-54.1
0.0578
-83.2
0.422
118.5
4.250
0.812
73.4
1.626
-55.4
0.0580
-84.1
0.419
117.8
4.275
0.810
72.0
1.623
-56.6
0.0583
-84.9
0.416
117.0
4.300
0.810
70.6
1.624
-57.8
0.0586
-85.8
0.413
116.2
4.325
0.810
69.2
1.623
-59.1
0.0588
-86.7
0.410
115.4
4.350
0.809
67.8
1.622
-60.3
0.0591
-87.6
0.406
114.6
4.375
0.809
66.4
1.622
-61.6
0.0594
-88.5
0.403
113.7
4.400
0.808
64.9
1.620
-62.9
0.0596
-89.5
0.400
112.9
4.425
0.808
63.4
1.620
-64.2
0.0598
-90.4
0.397
111.9
4.450
0.807
61.9
1.619
-65.5
0.0600
-91.4
0.393
111.0
4.475
0.807
60.4
1.618
-66.9
0.0603
-92.2
0.390
110.0
4.500
0.806
58.8
1.617
-68.2
0.0606
-93.2
0.386
109.0
4.525
0.806
57.3
1.615
-69.5
0.0608
-94.1
0.383
108.0
4.550
0.806
55.7
1.615
-70.9
0.0611
-95.1
0.379
106.9
4.575
0.805
54.2
1.612
-72.3
0.0614
-96.1
0.375
105.8
4.600
0.805
52.6
1.612
-73.6
0.0616
-97.1
0.372
104.6
4.625
0.805
51.0
1.609
-75.0
0.0619
-98.2
0.368
103.5
4.650
0.805
49.4
1.607
-76.4
0.0621
-99.2
0.365
102.2
4.675
0.805
47.8
1.605
-77.8
0.0623
-100.2
0.361
101.0
4.700
0.805
46.2
1.601
-79.2
0.0625
-101.3
0.357
99.7
4.725
0.805
44.6
1.601
-80.6
0.0627
-102.4
0.354
98.3
4.750
0.806
43.0
1.596
-82.0
0.0629
-103.4
0.349
97.0
4.775
0.806
41.3
1.594
-83.5
0.0631
-104.5
0.346
95.5
4.800
0.806
39.7
1.590
-84.9
0.0632
-105.5
0.342
94.0
4.825
0.806
38.1
1.586
-86.4
0.0634
-106.6
0.338
92.4
4.850
0.807
36.5
1.583
-87.8
0.0635
-107.7
0.334
90.8
4.875
0.807
34.8
1.578
-89.3
0.0637
-108.8
0.330
89.2
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